STM32f030

1. FLASH擦写时间

2. FLASH擦写次数和数据保存年限

只能擦写1000次，有点少。非必要，不要擦写。比如记忆流水号之类，经常变动的数据，最好使用EEPROM。

STM32F103x8, STM32F103xB

1. FLASH擦写时间和电流

  

2. FLASH擦写次数和数据保存年限

擦写1万次，保存20年。

STM32F427xx STM32F429xx

1. FLASH擦写电流

2. FLASH擦写时间

编程32bit只要16us，速度提高了近4倍。

3. 使用VPP擦写时间（工厂模式下，64bit）

4. FLASH擦写次数和数据保存年限

擦写次数提高到1万次，基本应用应该够了。不过对于经常变化的数据建议还是不要在FLASH存储，比如1天要变化记录20次，则10000/20=500天，即将面临失效，导致整个产品报废。

感谢你的分享，对于data retention的年限是如何计算的呢，为什么1k 85℃是20年，105℃为10年呢，这个结果好像并不符合阿伦尼斯方程。他们之间好像并没有任何关系，不知道ST是如何得到这个寿命的。