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请问下各位大佬,stm32的外部中断(下降沿或者上升沿触发)能够采样到的边沿是否有具体要求,我在spec里面只看到说能采样到比主频短的脉冲,但是对边沿的时间没有具体的表述,比如能采到多快的下降沿?或者说外部中断的采样机制是电平采样,再GPIO CLK的边沿对电平采样来判断边沿是否变化? 再F1的手册里面看到有要求,但是在G0里面没看到
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STM32F407VET6,使用cubeIDE下载跑不起来
FLASH擦除轮询等待时CPU真的会轮询吗
使用 HAL 库通过串口以 ASCII 形式发送整型数据
STM32F207IG 10Mbps 半双工以太网异常
STM32L562DK探索板——初试Audio
STM32L562DK探索板——触摸板测试
USB Host 外部中断按键失效
调用HAL_FLASH_OB_Unlock()直接进入 HardFaultHandler
STM32L562DK探索板——点灯
STM32L562DK探索板的供电模式
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不过这个芯片主频最大64M,那么检测的频率也不应该再快多少,否则速率也跟不上,实际应用没有什么意义了。
好吧,谢谢大佬
大佬,想再请教一个问题,这颗芯片主频64M的,理论上采一个间隔4ms,脉冲宽度40ns的脉冲是没问题的吧?
我的理解是GPIO的clk频率是APB时钟的频率,40ns是2个时钟周期以上,理论上应该能够采到